芯片资讯
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2026-03
寒武纪 2025 年营收暴涨 453% 首度扭亏为盈净利超 20 亿
2026 年 3 月 12 日,寒武纪发布 2025 年度年报,公司抢抓 人工智能算力需求 爆发机遇,市场拓展与场景落地全面提速,全年业绩创下历史新高。 报告期内,寒武纪实现 营业收入 64.97 亿元 ,同比增长 453.21%; 归属于上市公司股东的净利润 20.59 亿元 , 首次实现全年扭亏为盈 ,扣非后净利润 17.70 亿元。公司智能芯片及板卡生产量同比增长 409.84%,销售量增长 201.57%,产能与出货量同步大幅提升。 云端产品线 成为核心增长引擎,贡献 99.7% 营收
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2026-03
晶晨股份6nm芯片2026年出货冲3000万颗
3月11日,晶晨股份发布投资者关系活动记录表公告,披露公司核心芯片业务最新进展,其中 6nm芯片 表现亮眼,2025年已完成近900万颗商用出货,技术成熟度、产品稳定性均已通过国际化客户和市场充分验证,2026年出货量有望突破 3000万颗 ,实现跨越式增长。 无线连接领域同样传来捷报,晶晨股份2025年 Wi-Fi 6芯片 销量超700万颗,市场占比快速提升,已成为公司无线连接业务的核心产品。后续公司将持续丰富产品矩阵,进一步推出Wi-Fi路由芯片、Wi-Fi 6高速低功耗芯片,预计2026
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2026-03
芯片封测大厂突然官宣,上海新厂专攻两大风口
3月11日, 长电科技 昨日宣布,其专为汽车电子与机器人应用打造的芯片封测工厂—— 长电科技汽车电子(上海)有限公司(JSAC) ,在中国(上海)自由贸易试验区临港新片区正式举行投产启用仪式,标志着公司在车规级与物理AI芯片封测领域迈出关键一步。 长电科技表示,智能汽车与智能机器人在芯片和系统层面的底层逻辑高度契合,两者本质上都是“在物理世界中运行的智能体”,相关芯片在 算力、集成度 和应用方面呈现高度共性。依托这一产业趋势,企业在夯实车规级封测核心能力的同时,同步打造出可无缝承载机器人控制、
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2026-03
安世半导体(中国)12英寸双极分立器件平台验收
3月9日, 安世半导体(中国) 正式宣布,其自主研发的 12英寸双极分立器件平台 成功验收,已顺利实现12英寸晶圆双极分立器件的小批量量产,助力国产半导体特色工艺迈上新台阶。 当前半导体产业正朝着12英寸先进制程与特色工艺并重的方向发展,双极分立器件作为各类电子系统的“基础细胞”,其性能与可靠性直接决定终端产品品质。此次安世半导体(中国)推出的12英寸双极分立器件,并非简单移植原有8英寸产品,而是通过自主研发的12英寸平台,对 芯片结构、工艺集成、制造流程 进行全面优化与重构,实现技术层面的全
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2026-03
安世半导体全新推出NEX10058 AMOLED 偏置电源 IC
安世半导体全新推出 NEX10058 三通道 AMOLED 偏置电源 IC,专为新一代高规格 AMOLED 显示屏打造,助力终端实现更高亮度、更长续航与更优系统效率,进一步丰富安世显示电源芯片阵容,强力赋能中高端智能手机市场。 NEX10058 精准解决 AMOLED 屏幕对 大电流、低功耗 的严苛要求,可完美适配主流品牌 AMOLED 手机方案。 该产品突破小封装高亮度电流瓶颈,支持 1600nits 超高亮度场景,输出电流高达 1A ,大幅优于行业主流 600–800mA 水平,保证全功率
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06
2026-03
全球首创!国产 35 微米超薄晶圆产线正式投产
3 月 4 日,上海松江官方发布消息,尼西半导体科技(上海)有限公司打造的 全球首条 35 微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线 正式建成投产,标志我国在高端功率半导体超薄晶圆制造领域实现关键突破,为高端功率芯片规模化量产提供核心支撑。 晶圆是芯片制造的核心基底,厚度直接决定芯片性能与散热能力。 35 微米厚度仅为普通头发丝直径的一半 ,厚度低于 50 微米后极易碎裂,加工难度极高,长期是行业技术难题。 尼西半导体通过多项工艺创新攻克难关,将 35 微米厚度误差严格控制在 ±1.5 微米
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05
2026-03
北方华创与中国有研签署战略合作
近日, 中国有研科技集团 与 北方华创 战略合作协议签约仪式在北京隆重举行,两大半导体领域龙头携手,开启装备与材料协同创新、助力产业链自主可控的全新篇章。 签约仪式上,北方华创集团董事长、执委会主席赵晋荣表示,中国有研在材料研发、应用验证及检测平台建设方面基础扎实、专业能力突出,北方华创希望与中国有研将原有“互为甲乙方”的合作模式,升级为面向未来技术前沿的 协同创新模式 ,共同响应国家战略需求。双方将聚焦关键材料国产化、核心部件协同开发、检测技术能力提升及联合创新平台建设,围绕行业“无解难题”
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2026-03
希荻微官宣涨价:成本压力传导,3月新单执行新价
国产模拟芯片厂商 希荻微 近日发布涨价函,宣布自 2026年3月1日起 ,对部分产品进行 适度价格上调 。该日期前已确认的订单仍按原价执行,不受影响。 涨价源于持续攀升的成本压力。希荻微在函件中解释,近期 全球上游原材料及关键贵金属价格大幅上涨 ,直接推高晶圆代工与封测成本。尽管公司持续优化内部运营效率,仍难以完全消化这部分成本,为保障产品稳定供应与服务质量,决定调价。 希荻微是国内模拟芯片领域的主要玩家,专注于电源管理芯片及信号链芯片的研发与销售。核心产品包括DC/DC芯片、超级快充芯片、锂
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03
2026-03
AMD Ryzen 5 5500X3D 登陆中国
AMD 高缓存游戏处理器 Ryzen 5 5500X3D 现已正式登陆中国市场,凭借亲民定位与强悍游戏性能,成为入门级游戏平台的热门选择。 该处理器采用 台积电 7nm Zen 3 架构 ,搭载 3D V-Cache 堆叠技术,配备 6 核 12 线程 ,基础频率 3.0GHz,最高加速频率 4.0GHz,TDP 为 105W。核心亮点是 99MB 超大缓存组合 ,相比普通版 Ryzen 5 5500 仅有 16MB 三级缓存,游戏性能提升显著。 性能方面,Ryzen 5 5500X3D 多线
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2026-02
DRAM与NAND闪存价格同步飙升
存储芯片市场迎来“暴涨潮”, DRAM 与 NAND闪存 价格同步飙升,双双创下历史新高,延续此前的强势上涨态势,行业高景气度持续凸显,对下游终端产业链产生深远影响。 据市场研究公司 DRAMeXchange 于2月27日发布的数据显示,2月份通用PC DRAM产品(DDR4 8Gb 1Gx8)的平均固定交易价格达 13.00美元 ,较上月的11.50美元上涨 13.04% ,这一价格创下自2016年6月该机构启动该项调查以来的最高水平。 涨价势头持续强劲,自去年4月以来,通用DRAM价格已实
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2026-02
高通挖角英特尔代工高管Kevin O'Buckley
2月27日, 高通 于美国加州当地时间26日正式官宣,前 英特尔代工高管Kevin O'Buckley 将走马上任,自3月2日起出任高通 全球运营与供应链执行副总裁 ,直接向高通执行副总裁、首席财务官兼首席运营官 Akash Palkhiwala 汇报工作。 据悉,Kevin O'Buckley在半导体行业拥有三十年资深经验,此前在英特尔担任副总裁及晶圆代工部门服务总经理,主导英特尔代工业务的全球运营、先进封装、工艺技术及供应商合作等核心工作,还曾任职于IBM、格芯、美满等企业,在复杂半导体业
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2026-02
闪迪+SK海力士启动HBF标准化
2月26日, 闪迪(Sandisk) 与 SK海力士 昨日在闪迪美国总部,联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”,标志着两大存储原厂正式启动 高带宽闪存(HBF) 的全球标准化进程,为AI生态协同发展筑牢基础。 SK海力士明确表示,将与闪迪深度携手,共同推动HBF成为 行业通用标准 ,为整个AI生态系统协同发展奠定核心基础。目前,双方已依托 OCP框架 ,专门设立专项工作组,全面启动HBF的标准化制定工作,加速推动这项新型存储技术的产业化落地。 当前,AI产业已全面迈向以实际服务应用为导向的












